1
独立Dram缓存减少PCIe与闪存间的数据延迟,随机读写性能提升显著,连续读取速度最高可达2000MB/s,连续写入速度最高可达1500MB/s
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PCIe 3.0×4通道,支持NVMe 1.4协议,标准M.2 2280形态
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-40℃~+85℃宽温工作,具备短路保护、欠压保护与ECC错误纠正,数据安全性高
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容量1TB~4TB,TLC闪存擦写次数达3000PE,总写入量(TBW)容差±10%
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