100%全国产化的工业级NAND FLASH芯片，采用TLC闪存类型，具备高存储密度、低功耗、高可靠性特点，可申请第三方ZZKK证明，适配国产化工业设备的核心存储需求。

基于国产原厂晋圆的工业级DDR3存储芯片，经宽温筛测与定制封测，ZZKK等级B，100%国产化，适配工业嵌入式系统与国产化设备。

基于国产原厂晶圆的工业级DDR4存储芯片，经工业级封测与宽温优化，100%国产化，可申请第三方ZZKK证明，适配国产化工业嵌入式系统与高端算力设备。

将NAND闪存与控制器集成封装的工业级eMMC存储芯片，采用TLC闪存类型，具备小体积、低功耗、高可靠性特点，适配工业嵌入式系统与便携工业设备。

基于国产原厂晶圆的工业级DDR5存储芯片，采用工业级宽温筛测与高可靠封测工艺，具备高速率、低功耗、高稳定性特点，适配工业嵌入式、高端算力、国产化核心设备与严苛环境存储场景。

基于国产原厂晶圆的工业级LPDDR4X存储芯片，采用低功耗宽温架构与高可靠封测工艺，超低功耗、高带宽、宽温稳定，专为移动工控、便携式设备、嵌入式与国产化高能效场景设计。

工业级SD Nand存储芯片，采用原厂宽温闪存颗粒与高可靠封测工艺，兼容标准SD接口时序，具备宽温稳定、低功耗、长寿命特性，专为工业嵌入式、小型化设备与严苛环境存储设计。