工业级存储芯片
DDR3、DDR4、DDR5 及 LPDDR4X 内存颗粒，适用于工业级 SoC、边缘计算与嵌入式控制器。提供宽温档位与多种封装选择，可按容量密度与等级筛选。 商务条款：最短 5 年供货，停产（EOL）通知期 12 个月；最小起订量 1 片 起；可按需提供 BOM 评审与固件适配；质保 5 年；常规交期 4~8 周。
DRAM
工业级宽温
国产化
工业级 16Gb DDR5 内存颗粒 · 全国产
- DDR5 带宽
- 1.1 V 供电
- 工业级宽温
温度 −40°C to +85°C
密度 16Gb (×8)
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DRAM
工业级宽温
工业级 8Gb DDR4 内存颗粒 · 全国产 ·宽温
- 晶圆与封装
- FBGA78/FBGA96封装
- 支持VDD(VDDQ) 1.2V +/-
温度 -40℃~+85℃
密度 8Gb
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DRAM
工业级宽温
国产化
工业级 8Gb DDR4 内存颗粒 · 宽温 · 全国产
- DDR4 带宽
- 工业级宽温
- 全国产化供货（CN）
温度 −40℃~+85℃
密度 8Gb
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DRAM
工业级宽温
国产化
工业级 DDR3 内存颗粒 · 宽温 · 国产
- 晶圆与封装测试
- 标准SSTL接口
- 宽温工作
温度 -40℃~+85℃
密度 2Gb-8Gb
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DRAM
工业级宽温
国产化
工业级 LPDDR4X 内存颗粒 · 全国产
- 轻薄 FBGA178/FBGA200 封装
- 0.6V 核心超低电压
- 100% 全国产方案
温度 -40℃~+85℃
密度 2GB-8GB
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DRAM
工业级宽温
国产化
工业级 NAND Flash存储芯片
- ONFI 4.0标准接口
- TLC类型，P/E最高3000次
- 宽温工作
温度 -40℃~+85℃
密度 64GB-512GB
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DRAM
工业级宽温
工业级 NAND Flash存储芯片
- 符合ONFI 4.0
- TLC类型，3000次P/E
- I/O速率最高800 MB/s
温度 -40℃~+85℃
密度 64GB-512GB
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DRAM
工业级宽温
国产化
工业级 SD NAND存储芯片
- 兼容 SD 3.0/2.0
- 1.8V/3.3V 双电压
- 原厂颗粒
温度 -40℃~+85℃
密度 1GB-32GB
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DRAM
工业级宽温
国产化
工业级 eMMC存储芯片
- NAND FLASH与主控
- 符合eMMC 5.1标准
- 宽温工作
温度 -40℃~+85℃
密度 32GB-256GB
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DRAM
战魂级
国产化
GJB-STD
战魂级 DDR3 内存颗粒 · 战魂级 · 全国产
- 工业级宽温
- FBGA96 · ×16
- 双电压供电
温度 −55°C to +125°C
密度 2Gb–4Gb
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DRAM
战魂级
GJB-STD
战魂级 eMMC pSLC存储芯片 · 全国产 · 战魂级
- 集成NAND Flash
- 符合eMMC 5.1标准
- 时钟速率最高400MHz
温度 −55°C to +125°C
密度 8GB-64GB
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