NAND FLASH存储芯片
全国产化可选 · ONFI 4.0接口 · 工作温度-40℃~+85℃
100%全国产化的工业级NAND FLASH芯片,采用TLC闪存类型,具备高存储密度、低功耗、高可靠性特点,可申请第三方ZZKK证明,适配国产化工业设备的核心存储需求。
工作温度
-40℃~+85℃
容量范围
64GB-1TB
产品特性
专为国产化工业设备的核心存储需求设计
全国产化NAND FLASH芯片,具备高存储密度与高可靠性
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技术优势
领先的工业级存储技术
全国产化NAND FLASH存储解决方案
1
100%全国产化,可申请ZZKK认证
2
ONFI 4.0标准,I/O速率800MB/s
3
擦写次数达3000PE,高耐久性
4
遵循GJB7400 N1规范
技术规格
详细技术规格
工业级NAND FLASH存储芯片完整参数
产品规格参数
接口标准
ONFI 4.0
封装类型
BGA132/BGA152
容量选择
64GB/128GB/256GB/512GB/1TB
工作温度
-40℃~+85℃
存储温度
-45℃~+90℃
I/O速率
Up to 800MB/s
Flash类型
TLC (3000PE)
国产化认证
可申请ZZKK
CE设计
4CE
可靠性标准
GJB7400 N1规范
错误纠正
ECC错误纠正
质保期限
5年
应用案例
典型应用场景
NAND FLASH存储芯片的行业应用
1
国产化特种记录仪数据存储
应用于国产化特种记录仪,全国产化方案满足自主可控需求。
应用效果
- 全国产化满足自主可控
- 高速I/O满足数据记录
- 可申请ZZKK认证
2
国产工业控制芯片配套存储
用于国产工业控制芯片配套存储,4CE设计提升数据处理能力。
应用效果
- 4CE设计提升并行处理
- 兼容国产工业控制芯片
- 高可靠性保障工控应用