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全国产NAND FLASH存储芯片

ONFI4.0标准 · TLC 3000次擦写 · 可申请ZZKK认证

100%全国产NAND FLASH存储芯片,遵循ONFI4.0标准接口,TLC类型擦写次数达3000次,I/O速率达800MB/s,支持-40℃~85℃宽温工作,可提供国产化证明。

工作温度
-40℃~85℃
容量范围
64GB-512GB
I/O速率
800MB/s
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全国产NAND FLASH存储芯片
产品特性

产品特性

战魂级全国产存储芯片方案

1

遵循ONFI4.0标准接口

2

TLC类型,擦写次数达3000次,寿命长、可靠性高

3

I/O速率达800MB/s,数据传输高效

4

工作温度-40℃~85℃,存储温度-45℃~90℃,可在振动、高压等极端环境稳定工作

5

100%全国产,可提供国产化证明,遵循GJB7400 N1规范要求

技术优势

技术优势

战魂级自主可控存储方案

1

100%全国产,可申请ZZKK认证

2

ONFI4.0标准接口,兼容性强

3

TLC 3000次擦写,寿命长

4

I/O速率800MB/s,传输高效

技术规格

规格参数

详细技术规格

产品规格参数

接口标准 ONFI 4.0
封装类型 BGA132/BGA152
容量选择 64GB/128GB/256GB/512GB
工作温度 -40℃~85℃
存储温度 -45℃~90℃
Flash类型 TLC (3000次擦写)
I/O速率 800MB/s
CE数 4CE
供电电压 VCC（2.35V~3.6V），VCCQ（1.14V~1.26V）
国产化认证 可申请第三方ZZKK
可靠性标准 遵循GJB7400 N1规范要求
可替换型号 兼容镁光同类型号，部分型号可替换MT29F2T08EMHAFJ4-3ITF:A等
质保期限 5年质保服务
应用案例

应用案例

自主可控场景验证

1

工业记录仪

应用于工业记录仪,高I/O速率保障数据快速写入,100%国产化满足自主可控需求。

应用效果

  • 高速I/O保障数据写入
  • 100%国产化自主可控
  • 遵循GJB7400 N1规范
2

专用数据存储设备

用于专用数据存储设备,TLC 3000次擦写寿命长,可在振动、高压等极端环境稳定工作。

应用效果

  • TLC 3000次擦写寿命长
  • 耐极端环境
  • 可申请ZZKK认证

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