DRAM
工业级宽温
工业级 NAND Flash存储芯片
ONFI 4.0 标准 · TLC 3000次编程/擦除
工作温度
-40℃~+85℃
容量选择
64GB-512GB
关键信息
在翻阅完整规格书之前,工业客户通常最先需要确认的几件事。
5 年持续供货 · 停产提前 12 个月通知
合格料号可长期供货,满足长生命周期设备需求——停产前将提前通知您。
起订量 1 片
支持样机与维修批量采购,无需大量备货占用库存——随后可平滑放量生产。
BOM 审核与固件适配
我们可协助匹配现有料号、验证原位替换路径,并在标准型号需要微调时调整固件 / 等级。
5 年质保 · 4~8 周标准交期
在配置与需求预测确认后,按约 4~8 周标准交期稳定排产。
| 起订量 | 最低 1 片 |
|---|---|
| 标准交期 | 4~8 周(典型值;具体配置请与销售确认) |
| 质保期限 | 5 年(等级详情见 /warranty) |
| 供货承诺 | 合格料号至少 5 年 · 停产提前 12 个月通知 |
| 工程支持 | BOM 审核、原位替换 / 适配性检查,以及按需提供固件与温度等级调整 |
| 样品 | 可按需提供 |
产品概述
符合ONFI 4.0标准的战魂级NAND Flash存储芯片。TLC类型,编程/擦除次数最高可达3000次,I/O速率最高800 MB/s,并支持-40℃~+85℃宽温工作,针对加固嵌入式应用强化了可靠性验证。
规格参数
| 接口标准 | ONFI 4.0 |
|---|---|
| 封装类型 | BGA132/BGA152 |
| 容量选择 | 64GB/128GB/256GB/512GB |
| 工作温度 | -40℃~85℃ |
| 存储温度 | -45℃~90℃ |
| Flash类型 | TLC(3000 P/E Cycles) |
| I/O速率 | 800MB/s |
| CE数 | 4CE |
| 供电电压 | VCC(2.35V~3.6V)、VCCQ(1.14V~1.26V) |
| 可替换型号 | 可兼容 Micron 同类型号;部分型号可替换为 MT29F2T08EMHAFJ4-3ITF:A 等。 |
| 质保期限 | 5年质保服务 |
可订购料号
本页料号摘自产品手册。量产前请确认封装、温度档位与速率等级。
| 料号 | 等级 | 摘要 |
|---|---|---|
YKH8J132MZ |
工业级宽温 | 128GB · -40℃~+85℃· BGA132 |
YLJ8J132MZ |
工业级宽温 | 256GB · -40℃~+85℃· BGA132 |
YMN09TC1B1HC6C |
工业级宽温 | 256GB · 泰山系列 · -40℃~+85℃· BGA132 · 对标 YZ09TC1B1HC6C |
YMN09TC1B1JC6C |
工业级宽温 | 512GB · 泰山系列 · -40℃~+85℃· BGA132 · 对标 YZ09TC1B1JC6C |
YRK8J152NY |
工业级宽温 | 512GB · -40℃~+85℃· BGA152 |
料号交叉对照
用于 BOM 选型的厂商料号族。请务必在主机端验证球位图、速率等级与温度等级。
合规与标准
龙瑆工业级存储芯片与存储产品的质量管理与发布流程。正式证书及范围说明可在报价资料包中按需提供。
质量管理体系
-
ISO 9001:2015 认证(GB/T 19001-2016)
质量管理体系——要求。已认证的质量体系,覆盖半导体集成电路与固态存储模块(设计、开发、生产与技术支持)以及混合集成电路(设计、开发与技术支持)。
-
符合 GJB 9001C—2017
质量管理体系——要求。质量体系运行符合 GJB 9001C,覆盖范围相同:半导体集成电路与固态存储模块(设计、开发、生产与技术支持)以及混合集成电路(设计、开发与技术支持)。
产品与接口标准
本目录料号遵循其产品形态与主机接口所对应的行业规范。
-
JEDEC DRAM 规范
DDR3 / DDR4 / DDR5 / LPDDR 系列遵循所列容量、组织结构与速率档位适用的 JEDEC 器件与信号规范。
-
ONFI NAND 接口
Raw NAND 产品遵循所列料号适用的 Open NAND Flash Interface(ONFI)版本。
等级表述: 产品等级定义.
核心特性
强化可靠性等级,配备ONFI 4.0接口与高耐久TLC
-
符合ONFI 4.0
标准接口
-
TLC类型,3000次P/E
TLC类型,3000次P/E,使用寿命长、可靠性高
-
I/O速率最高800 MB/s
实现高效数据传输
-
工作温度
-40℃~+85℃
典型应用场景
高可靠场景验证
工业记录仪
应用于工业记录仪,高I/O速率确保数据快速写入,高品质满足高可靠性要求。
- 高速 I/O 确保数据写入
- 高品质与高可靠性
专用数据存储设备
用于专用数据存储设备,TLC具备3000次P/E,使用寿命长,可在振动、高压等极限环境中稳定工作。
- TLC 具备 3000 次 P/E,使用寿命长
- 耐受极限环境
工程技术资料
-
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工业级 NAND Flash存储芯片
- ONFI 4.0标准接口
- TLC类型,P/E最高3000次
- 宽温工作
温度 -40℃~+85℃
密度 64GB-512GB
查看规格 →