存储芯片
含eMMC pSLC、全国产DDR3、全国产DDR4、全国产NAND FLASH等品类，专为比工业级要求更高、环境更恶劣的场景设计，工作温度覆盖-55℃~105℃，兼具极致可靠性与强环境耐受性。
存储芯片
eMMC pSLC存储芯片
战魂级eMMC pSLC存储芯片,将NAND闪存芯片与控制器封装于单个BGA中,遵循eMMC5.1标准,时钟速度高达400MHz,支持-55℃~90℃宽温工作,适配龙芯、飞腾、瑞芯微等国产化平台。
存储芯片
全国产DDR3存储芯片
100%全国产DDR3存储芯片,基于国产原厂晋圆,封测及宽温筛测符合高标准需求,工作频率800MHz或933MHz,支持-55℃~105℃宽温工作,可替换国外镁光、三星等对应器件。
存储芯片
全国产DDR4存储芯片
100%全国产DDR4存储芯片,基于国产原厂晋圆,封测及宽温筛测适配工业、专用场景,工作频率1600MHz,支持-55℃~105℃宽温工作,可替换国外镁光、三星及国产长鑫等对应器件。
存储芯片
全国产NAND FLASH存储芯片
100%全国产NAND FLASH存储芯片,遵循ONFI4.0标准接口,TLC类型擦写次数达3000次,I/O速率达800MB/s,支持-40℃~85℃宽温工作,可提供国产化证明。