M.2 2280 NVMe 固态硬盘（带缓存）· 商用级
带缓存 · 极致性能
关键信息
在翻阅完整规格书之前，工业客户通常最先需要确认的几件事。
5 年持续供货 · 停产提前 12 个月通知
合格料号可长期供货，满足长生命周期设备需求——停产前将提前通知您。
起订量 1 片
支持样机与维修批量采购，无需大量备货占用库存——随后可平滑放量生产。
BOM 审核与固件适配
我们可协助匹配现有料号、验证原位替换路径，并在标准型号需要微调时调整固件 / 等级。
5 年质保 · 4~8 周标准交期
在配置与需求预测确认后，按约 4~8 周标准交期稳定排产。
| 起订量 | 最低 1 片 |
|---|---|
| 标准交期 | 4~8 周（典型值；具体配置请与销售确认） |
| 质保期限 | 5 年（等级详情见 /warranty） |
| 供货承诺 | 合格料号至少 5 年 · 停产提前 12 个月通知 |
| 工程支持 | BOM 审核、原位替换 / 适配性检查，以及按需提供固件与温度等级调整 |
| 样品 | 可按需提供 |
产品概述
搭载独立 DRAM 缓存的高端企业级 NVMe 固态硬盘 配备 1GB 独立 DRAM 缓存，可暂存读写指令，减少 NAND Flash 擦写次数，数据库查询性能提升达 40%。适用于企业级数据库从库、大文件服务器及轻量云服务器。采用三星/美光原厂 DRAM，兼容匹配率达 99.9%。
规格参数
| 接口类型 | M.2 2280 PCIe 3.0×4 |
|---|---|
| 协议标准 | NVMe 1.4 |
| 物理尺寸 | 22mm×80mm×2.3mm |
| 容量选择 | 128GB/256GB/512GB/1TB/2TB/4TB |
| 工作温度 | -20℃~+70℃ |
| 存储温度 | -40℃~+85℃ |
| 读取速度 | 最高 2000MB/s |
| 写入速度 | 最高 1500MB/s |
| 缓存类型 | 1GB 独立 DRAM 缓存 |
| 掉电保护 | 12ms 掉电延迟设计 |
| 质保期限 | 5 年 |
| 封装类型 | 80mm×22mm×≤5mm |
| 可用容量 | 953GB/1.86TB/3.72TB |
| 纠错 | ECC 纠错技术 |
| 重量 | <20g |
可订购料号
本页料号摘自产品手册。量产前请确认封装、温度档位与速率等级。
| 料号 | 等级 | 摘要 |
|---|---|---|
YIDJ01TNQT-S |
Commercial | 1 TB · ≥2000/≥1500 MB/s · TBW 400 TB |
YIDJ02TNQT-S |
Commercial | 2 TB · ≥2300/≥2000 MB/s · TBW 800 TB |
YIDJ04TNQT-S |
Commercial | 4 TB · ≥2863/≥2316 MB/s · TBW 1600 TB |
YIDJ08TNQT-S |
Commercial | 8 TB · ≥2900/≥2600 MB/s · TBW 3200 TB |
料号交叉对照
该 SKU 暂未发布经核实的一对一厂商料号。 浏览料号库 或联系工程团队协助 BOM 匹配。
合规与标准
龙瑆工业级存储芯片与存储产品的质量管理与发布流程。正式证书及范围说明可在报价资料包中按需提供。
质量管理体系
-
ISO 9001:2015 认证（GB/T 19001-2016）
质量管理体系——要求。已认证的质量体系，覆盖半导体集成电路与固态存储模块（设计、开发、生产与技术支持）以及混合集成电路（设计、开发与技术支持）。
-
符合 GJB 9001C—2017
质量管理体系——要求。质量体系运行符合 GJB 9001C，覆盖范围相同：半导体集成电路与固态存储模块（设计、开发、生产与技术支持）以及混合集成电路（设计、开发与技术支持）。
产品与接口标准
本目录料号遵循其产品形态与主机接口所对应的行业规范。
-
行业标准固态硬盘主机接口
主机接口、命令集与产品形态行为遵循规格书中列出的适用 SATA、NVMe 或 eMMC 规范。
-
NVM Express（NVMe）
命令集与 PCIe 挂载存储行为符合所列料号适用的 NVMe 规范版本。
-
PCI Express
物理层与链路层连接方式遵循规格书中所述的 PCIe 代数与通道宽度（例如 PCIe 3.0 ×4）。
等级表述： 产品等级定义.
核心特性
先进的技术架构，确保在各类应用环境中性能稳定。
-
1GB 独立 DRAM 缓存
优化性能，暂存读写指令以加速访问
-
减少 NAND Flash
擦写次数有效延长固态硬盘使用寿命
-
4TB 大容量，支持
支持 RAID 阵列配置，满足企业数据存储需求
-
数据库查询性能
提升 40%，显著加快关键业务响应速度
-
NAND Flash 使用寿命
延长至 8 年以上，降低企业总体拥有成本
典型应用场景
真实客户应用场景验证产品的可靠性与实用性
企业级数据库服务器
用作 MySQL 主从复制架构中的从库，1GB 独立 DRAM 缓存显著提升索引查询性能。某电商平台采用后，商品搜索响应时间由 1.2 秒缩短至 0.3 秒，用户体验大幅提升。
- 数据库查询性能显著提升，响应时间缩短 75%
- 响应时间缩短，提升用户体验与转化率
- 高稳定性保障 7×24 小时无故障运行，确保业务连续性
虚拟化云服务器
用于 VMware ESXi 虚拟化平台，可同时运行 8 台虚拟机并保持流畅性能。4TB 大容量满足多租户存储需求，某 IDC 数据中心采用后，服务器密度提升 200%。
- 支持高密度虚拟化部署，单机运行 8 台以上虚拟机
- 大容量满足多租户需求，降低单用户成本
- 性能稳定，保障服务连续性，SLA 达 99.99%
工程技术资料
-
工业级 M.2 NVMe DRAM 缓存固态硬盘指南
面向工业主机的带 DRAM 缓存 M.2 2280 NVMe——性能特征与设计导入核查清单。
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