工业级宽温 · 存储芯片(内存颗粒) · CN
-40℃~+85℃工业级宽温 DDR 与 LPDDR 存储芯片,适用于工业级 SoC、边缘计算与嵌入式控制器。优势包括稳定的工业级供货方案、与现场匹配的温度档位,以及适配紧凑板型布局的封装。典型部署场景:工厂车间、户外机柜、轨道交通、能源与户外边缘设备。确切参数以各料号规格书为准。 仅显示国产化(CN)料号。 商务条款:最短 5 年供货,停产(EOL)通知期 12 个月;最小起订量 1 片 起;可按需提供 BOM 评审与固件适配;质保 5 年;常规交期 4~8 周。
5 年持续供货 · 停产提前 12 个月通知
起订量 1 片
BOM 审核与固件适配
5 年质保 · 4~8 周标准交期
DRAM
工业级宽温
国产化
工业级 16Gb DDR5 内存颗粒 · 全国产
- DDR5 带宽
- 1.1 V 供电
- 工业级宽温
温度 −40°C to +85°C
密度 16Gb (×8)
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DRAM
工业级宽温
国产化
工业级 8Gb DDR4 内存颗粒 · 宽温 · 全国产
- DDR4 带宽
- 工业级宽温
- 全国产化供货(CN)
温度 −40℃~+85℃
密度 8Gb
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DRAM
工业级宽温
国产化
工业级 DDR3 内存颗粒 · 宽温 · 国产
- 晶圆与封装测试
- 标准SSTL接口
- 宽温工作
温度 -40℃~+85℃
密度 2Gb-8Gb
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DRAM
工业级宽温
国产化
工业级 LPDDR4X 内存颗粒 · 全国产
- 轻薄 FBGA178/FBGA200 封装
- 0.6V 核心超低电压
- 100% 全国产方案
温度 -40℃~+85℃
密度 2GB-8GB
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DRAM
工业级宽温
国产化
工业级 NAND Flash存储芯片
- ONFI 4.0标准接口
- TLC类型,P/E最高3000次
- 宽温工作
温度 -40℃~+85℃
密度 64GB-512GB
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DRAM
工业级宽温
国产化
工业级 SD NAND存储芯片
- 兼容 SD 3.0/2.0
- 1.8V/3.3V 双电压
- 原厂颗粒
温度 -40℃~+85℃
密度 1GB-32GB
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DRAM
工业级宽温
国产化
工业级 eMMC存储芯片
- NAND FLASH与主控
- 符合eMMC 5.1标准
- 宽温工作
温度 -40℃~+85℃
密度 32GB-256GB
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应用领域
全部应用案例龙瑆工业级宽温存储的典型应用行业 —— 下方为近期现场应用记录。
工业自动化与 PLC
面向需长期持续生产的控制器,提供长寿命 DDR3/DDR4 与 SATA DOM 方案。
轨道交通与运输
面向振动、冲击及严苛车厢环境的战魂级存储模块 / DOM 方案。
国防与航空航天
当项目需要更完善的可靠性文档时,提供 GJB 标准(国军标)/ 战魂级等级产品。
医疗设备
工业级宽温产品,配合多年期供货规划,满足设备长期使用需求。
安防与监控
面向 7×24 持续写入与边缘录像设备的工业级固态硬盘与存储卡产品线。
能源与电力
面向户外机柜与无人值守站点的工业级宽温 DRAM 与存储产品。