DDR3 信号的走线阻抗准则是什么（例如 40Ω 或 50Ω）？给定叠层下所需的线宽是多少？
DDR3 信号的走线阻抗准则是什么？
标准阻抗
| 信号 | 阻抗 | 说明 |
|---|---|---|
| DQ/DM | 50Ω 单端 | 数据/数据掩码 |
| DQS/DQS# | 100Ω 差分 | 数据 strobe |
| CA/CK | 50Ω 单端 | 命令/地址/时钟 |
| ZQ | 34Ω（校准电阻） | 输出阻抗校准 |
线宽计算
线宽取决于叠层（介电常数、介质厚度）：
- 4 层板（FR-4，εr≈4.2）： 50Ω ≈ 6~8 mils（取决于介质厚度）
- 8 层板： 50Ω ≈ 5~7 mils
- 差分对（100Ω）： 线宽和间距需联合设计
关键原则
- 参考平面完整： 阻抗控制依赖完整的参考平面
- 叠层一致： 所有 DDR3 信号走同一叠层，阻抗一致
- 过孔阻抗： 过孔的阻抗需与走线匹配（通常 40~60Ω）
- SI 仿真： 量产前进行阻抗仿真验证
建议
- DDR3 信号 → 50Ω 单端 / 100Ω 差分
- 确认叠层和介质参数
- 使用阻抗计算器或 SI 仿真工具
- 量产前进行 TDR（时域反射）测试
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