什么是NAND Flash？非易失性存储器术语表

NAND Flash（闪存）

NAND Flash 是一种非易失性存储器件，断电后数据不丢失。它由 Fujio Masuoka 博士于 1984 年在东芝发明，名称来源于其与 NOR Flash 在电路结构上的"非"（NOT）关系。

NAND Flash 的核心优势是高密度、低成本，使其成为嵌入式存储、SSD 和存储卡的主流介质。与 NOR Flash 相比，NAND 的写入和擦除以"页"和"块"为单位，写入速度快但随机读取速度较慢。

关键特性

• 存储密度高： 单位面积可存储更多数据，成本低于 NOR
• 写入速度快： 以页为单位写入，适合大量数据写入场景
• 随机读取较慢： 需要 FTL（闪存转换层）进行地址映射
• 有限 P/E 寿命： 每个存储单元有有限的编程/擦除次数（SLC > 100,000，MLC > 10,000，TLC > 3,000，pSLC > 50,000）

在工业存储中的应用

龙瑆的工业级存储产品广泛使用 NAND Flash：

• eMMC： 集成 NAND + 控制器 + FTL，适合嵌入式系统
• NVMe/SATA SSD： 多通道 NAND + 高性能控制器，适合高带宽场景
• 存储卡（TF/CF/CFast）： 小型化 NAND，适合移动和嵌入式应用

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