什么是3D NAND？非易失性存储器术语表
3D NAND
3D NAND（三维闪存）是一种闪存架构，将存储单元垂直堆叠在单个芯片上，而非像传统 2D NAND 那样平面排列。通过增加堆叠层数，3D NAND 在相同芯片面积上实现了更高的存储密度。
与 2D NAND 的对比
| 特性 | 2D NAND | 3D NAND |
|---|---|---|
| 结构 | 平面排列 | 垂直堆叠 |
| 密度 | 受限于平面工艺 | 随层数增加而提升 |
| 功耗 | 较高 | 较低（垂直通道减少水平布线） |
| 性能 | 受平面寄生电容影响 | 改善（垂直通道电阻更低） |
| 成本趋势 | 随工艺缩小而上升 | 随层数增加而下降 |
在工业存储中的应用
当前工业级 SSD 和存储卡主要使用 3D NAND：
- TLC 3D NAND： 主流选择，成本与性能平衡
- pSLC 3D NAND： 以 SLC 方式管理 TLC，耐久度提升 10 倍以上
- QLC 3D NAND： 更高密度，适合读多写少场景
龙瑆的工业级 SSD 和存储卡产品采用 3D NAND，提供 −40°C 至 +85°C（工业级）和 −55°C 至 +125°C（战魂级）温度等级。
相关术语
| 术语 | 说明 |
|---|---|
| TLC/QLC | 每单元 3/4 比特，密度和成本的关键因素 |
| pSLC | TLC 以 SLC 方式管理，耐久度大幅提升 |
| 堆叠层数 | 3D NAND 的垂直层数，决定密度 |
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